太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)直接反映了載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)能力, 因此載流子遷移率的測(cè)量是有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究中的重要內(nèi)容。我公司推出有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體器件載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)。

太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)

太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統(tǒng)

? 主要應(yīng)用：
    * 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件；
    * 有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV；
    * 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
    * 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч?、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）；
    * 染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC；

? 主要測(cè)量功能：
    * 功率點(diǎn)MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強(qiáng)，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）
    * 載流子密度，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
    * 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV）
    * 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
    * 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
    * 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
    * 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
    * 載流子復(fù)合過(guò)程，朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
    * 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
    * 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
    * 陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
    * 遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
    * 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
    * 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
    * 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）

-整合了DC，AC and Transient mode

用于太陽(yáng)能電池/OLED器件載流子特性測(cè)量與分析，通過(guò)對(duì)器件的變光強(qiáng)J-V曲線、瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強(qiáng)度調(diào)制光電流譜IMPS、強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級(jí)瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測(cè)量分析，表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù)，從而對(duì)太陽(yáng)能電池/OLED器件和其他有機(jī)半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測(cè)量。

測(cè)量參數(shù)

   • Charge carrier mobility載流子遷移率

   • Carrier lifetime載流子壽命

   • Recombination efficiency復(fù)合效率

   • Charge injection barriers電荷注入勢(shì)壘

   • Geometric capacitance幾何電容

   • J-V Curve電流-電壓曲線

   • J-V-L 電流-電壓-亮度曲線

   • Pmax、FF、Voc、Isc VS光強(qiáng)曲線

   • Carrier lifetime載流子壽命

   • Trap density陷阱密度

   • Trap depth陷阱深度

   • Doping density摻雜濃度

   • Series resistance串聯(lián)電阻

   • Electrical permittivity介電常數(shù)

   • Built-in voltage內(nèi)建電場(chǎng)

   • Emitter lifetime (OLED)發(fā)射壽命

   • 軟件后處理功能：可獲得更豐富的測(cè)試數(shù)據(jù)

測(cè)量曲線：

技術(shù)規(guī)格

   • 采樣率：60MS/s

   • 時(shí)間分辨率：16ns

   • 頻率范圍：10mHz to 10MHz

   • 電流分辨率：＜100pA

   • LED上升時(shí)間：100ns

   • 電流范圍：100mA

   • 電壓范圍：±12V

可選功能

   • Solar Cell Version or/ａnd OLED Version

   • Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE

   • 變溫測(cè)試臺(tái)：-120 °C to 150 °C（多種可選）

   • 光譜儀：OLED器件發(fā)光光譜測(cè)量

   • SMU 擴(kuò)展模塊: 電壓±60V，電流分辨1pA